| 【文章摘要】 強誘電体材料は残留分極特性をもつことから不揮発性メモリとしての応用が期待されており，EEPROM（electrically erasable programmable read-only memory）より高速·低消費電力でセルサイズも小さい次世代の不揮発性メモリとして研究?開発が行われている?しかし，従来から用いられている強誘電体材料であるPLZT（（Pb，La）（Zr，Ti）O_3）などは毒性が懸念されている物質やレアメタルを用いていたり，製造プロセスが複雑であるなどの問題がある．Onoderaらは酸化亜鉛（ZnO）にLiをドープするだけの簡単な構造で強誘電性を示すと報告している1）． |