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TiN/Si_3N_4复合材料的磁控溅射制备及其电性能研究
【文件类型】 【消费金额】1.2 【文章页数】4 【会员操作】  
【文章作者】王守兴;康立敏;王再义;魏美玲;何子臣;
【文章摘要】      利用直流反应磁控溅射法在Si3N4陶瓷基体上制备了TiN导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱(EDS)对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析,表明TiN薄膜均匀,且与基体有较强的附着力。采用SZ82型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析,表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。
【关 键 字】TiN;;Si3N4;;厚度;;方阻
【期刊】现代技术陶瓷【卷】【ISSUE】【ISSUEID】    【文章期份】2015    【发布日期】2015/4/2 0:00:00    点击率:1    打印    关闭
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