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生长工艺对生长室内温度分布影响的数值模拟
【文件类型】 【消费金额】2.4 【文章页数】8 【会员操作】  
【文章作者】刘旭东;毕孝国;唐坚;牛微;孙旭东;
【文章摘要】      为给实验研究晶体生长工艺提供必要的理论指导,以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量、喷嘴尺寸对温度分布的影响.研究表明:适合金红石单晶体生长的最佳燃烧器为内O_2、中H_2和外O_2的三管结构;随着H_2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐增大,H_2流量增加2 L/min,中心最高温度平均升高160℃,位置向下移动约2.5 mm;随着内、外O_2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐降低,与内O_2的影响相比,外O_2对中心温度影响较小,而对径向温度的影响较大;随着内O_2喷嘴孔径的增加,生长室轴心线上最高温度逐渐增大,而位置逐渐向喷嘴方向移动,而外O_2和H_2喷嘴孔径对轴心线上最高温度的影响非常小.
【关 键 字】金红石单晶体;;焰熔法;;生长室;;温度分布;;燃烧器
【期刊】【卷】【ISSUE】【ISSUEID】    【文章期份】2015    【发布日期】2016/1/31 0:00:00    点击率:1    打印    关闭
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