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磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性
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| 【文章作者】徐凯;路远;凌永顺;乔亚; |
| 【文章摘要】 采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。 |
| 【关 键 字】二氧化钒;;直流磁控溅射;;氧化热处理;;红外相变特性 |
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【期刊】材料科学与工程学报【卷】【ISSUE】【ISSUEID】
【文章期份】2015
【发布日期】2016/1/8 0:00:00
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