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气相法制备ZnO纳米阵列研究进展
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| 【文章作者】党威武;张永军;徐秀娟;李燕; |
| 【文章摘要】 Zn O作为一种具有优良性质的半导体材料,其纳米结构的制备方法得到广泛研究。气相法制备Zn O纳米阵列具有产物容易阵列及收集方便等特点,就近些年来Zn O纳米阵列的气相制备法研究情况做一总结和归纳,主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相输运法及脉冲激光沉积法等,并对不同实验方法合成的Zn O纳米阵列形貌结构及生长环境进行分析讨论,简单探讨气-液-固和气-固生长机理,为探索简单、方便,产物形貌结构及尺寸大小可控性强的气相制备方法提供依据。 |
| 【关 键 字】ZnO;;制备;;纳米阵列 |
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【期刊】合成材料老化与应用【卷】【ISSUE】【ISSUEID】
【文章期份】2015
【发布日期】2016/1/8 0:00:00
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