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大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长
【文件类型】 【消费金额】1.5 【文章页数】5 【会员操作】  
【文章作者】徐家跃;李欣;陆宝亮;申慧;侍敏莉;张爱琼;
【文章摘要】      四硼酸锂(Li_2B_4O_7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76 mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。
【关 键 字】四硼酸锂晶体;;坩埚下降法;;大尺寸晶体生长;;转向晶体生长
【期刊】硅酸盐学报【卷】【ISSUE】【ISSUEID】    【文章期份】2016    【发布日期】2017/2/18 0:00:00    点击率:1    打印    关闭
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