会员注册 会员登录 主办单位:国家建筑材料工业局技术图书馆 加为收藏 设为主页
1151web_logo
专注建材行业知识大数据
首页 外文期刊 中文期刊 图书馆 建材智网
您所在的位置:首页>>论文报告
混晶β-(Al,Ga)_2O_3的禁带调节(英文)
【文件类型】 【消费金额】1.5 【文章页数】5 【会员操作】  
【文章作者】肖海林;邵刚勤;赛青林;夏长泰;周圣明;易学专;
【文章摘要】      通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al~(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al~(3+)浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1:3。通过测试β-(Al,Ga)_2O_3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)_2O_3混晶的禁带调节范围为4.72~5.32 eV,扩大了β-Ga_2O_3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用。
【关 键 字】β-Ga2O3;;Al3+;;禁带宽度;;半导体
【期刊】无机材料学报【卷】【ISSUE】【ISSUEID】    【文章期份】2016    【发布日期】2017/2/18 0:00:00    点击率:1    打印    关闭
关于我们 公告信息 业务资费 广告合同 友情链接 购买阅读卡 在线订《水泥》
网络市场部:010-65761182 网络技术部:010-51164639  传真:010-65761182 Email:service@chinabmi.com
在线咨询:  
国家建筑材料工业局技术图书馆 京ICP备06011358号   京公网安备11010502024146