|
微波加热SiC坩埚升温特性的数值模拟研究
|
|
|
| 【文章作者】朱冠宇;冯福中;郭华强;张鑫;王延庆; |
| 【文章摘要】 在给出SiC坩埚在微波场内温度与时间的理论升温速率方程的基础上,建立了SiC坩埚在微波场中的数学模型,采用COMSOL有限元软件中的射频模块,进行了多物理场耦合情况下Si C坩埚在微波场内的升温特性的数值计算,得到了温度在空间与时间上的分布图,并对模拟结果进行了分析。分析表明:Si C坩埚在微波场内可以实现体加热,获得均匀的温度分布,而且可以获得较高的升温速率和较高的温度。为借助SiC坩埚加热非吸波材料的升温过程设计提供了依据。 |
| 【关 键 字】微波加热;;SiC坩埚;;升温特性;;数值模拟 |
|
【期刊】陶瓷学报【卷】【ISSUE】【ISSUEID】
【文章期份】2015
【发布日期】2016/1/8 0:00:00
点击率：1
打印
关闭
|
|