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一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展
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| 【文章作者】贾若飞;杨丽丽;杨丰;王飞;杨慧;李岚; |
| 【文章摘要】 一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。 |
| 【关 键 字】GaN;;纳米线;;CVD法;;LED;;光探测器 |
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【期刊】功能材料【卷】【ISSUE】【ISSUEID】
【文章期份】2016
【发布日期】2017/2/18 0:00:00
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