| 【文章摘要】 采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs_2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs_2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs_2晶体的晶格常数(a,c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a,Cd-As键长(lCd As)和Ge-As键长(lGe As)以及相应的热膨胀系数αCd As和αGe As。结果表明,a、c、δ、lCd As、lGe As和αCd As均随着温度的升高而增大,c/a和Ge As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd As是αGe As的6.36倍,是造成CdGeAs_2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。 |